PRODUCT CLASSIFICATION
產(chǎn)品分類產(chǎn)品展示/ Product display
抗干擾介質(zhì)損耗檢測儀,標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計算機實時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,并由之算出被測試品的電容容值(Cx)和其介質(zhì)損耗(tg)。
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抗干擾介質(zhì)損耗檢測儀
工作原理
儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路,如圖三所示。
標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計算機實時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,并由之算出被測試品的電容容值(Cx)和其介質(zhì)損耗(tg)。
數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件,采集板和采集計算機被鐵盒wan全浮空屏蔽,儀器的外殼接地屏蔽;另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),加之計算機對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進行處理,故測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。
由圖三可見,儀器高壓變壓器的高壓側(cè)和測量線路都是浮地的,用戶可根據(jù)不同的測量對象和測量需要,靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法"進行測量時,可將“E"點接地;而當(dāng)采用“反接線法"進行測量時,可將“UH"點接地,而將E點浮空。
圖中除測試品Cx外,其余為本儀器。細(xì)線框內(nèi)部分對儀器外殼能承受15KV工頻高壓5分鐘,額定耐壓10KV。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容CN,名義值為50PF,tgδ≤0.0001,耐壓10KV。高壓變壓器,額定輸出功率為1KVA。
★“E"點為儀器的內(nèi)屏蔽與測量電纜的屏蔽層相連,不是大地,與儀器的外殼也不連通!
抗干擾介質(zhì)損耗檢測儀
特點
1.超大液晶中文顯示
儀器配備了大屏幕(105mm×65mm)中文菜單界面,屏顯分為左右兩部分,左邊為功能菜單區(qū),右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示,每一步都非常清楚,操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作,微機自動完成全過程的測量,是目前非常理想的介損測量設(shè)備。
2.海量存儲數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲器,能將檢測結(jié)果按時間順序保存,隨時可以查看歷史記錄,并可以打印輸出;
3.科學(xué)先進的數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出,可在任意一臺PC機上通過我公司專用軟件,查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報告。
4.多種測試模式
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測試;在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓(大于10kV)介質(zhì)損耗。
5.CVT測試一步到位
該儀器還可以測試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量,實現(xiàn)了C1、C2的同時測試。該儀器還可以測試CVT變比和電壓角差。
6.高速采樣信號
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
7.多重保護安全可靠
儀器具備輸入電壓波動、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
技術(shù)指標(biāo)
1、環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應(yīng)避免長時日照)
2、相對濕度:30%~70%
3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz
4、外形尺寸:長×寬×高=4900mm×300mm×390mm
5、重量:約18kg
6、輸出功率:1KVA
7、顯示分辨率:4位
8、測量范圍:
介質(zhì)損耗(tgδ):0-50%
電容容量(Cx)和加載電壓:
2.5KV檔:≤300nF(300000pF)
3KV檔:≤200nF(200000pF)
5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)
7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)
10 KV檔:≤ 20nF( 20000pF)
9、基本測量誤差:
介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接
介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09%(加載電流 5μA~ 20mA)反接
電容容量( Cx ):1.5%±1.5pF
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